[发明专利]电子光学装置、电子光学装置的制造方法、电子设备有效
申请号: | 201510061871.9 | 申请日: | 2015-02-05 |
公开(公告)号: | CN104835829B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | 村田贤志 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 黄威;苏萌萌 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电子光学装置、电子光学装置的制造方法、电子设备。所述显示装置为配置有多个像素的显示装置,其特征在于,像素具有在Z方向上依次层叠的反射层、光学距离调整层、像素电极、绝缘膜、发光功能层、对置电极,绝缘膜具有与像素电极的一部分重叠的开口,反射层以跨及多个像素的方式而被配置,且具有反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)、反射率较低的部分(第二基底膜与反射膜层叠的部分),反射率较高的部分(第一基底膜与反射膜层叠的部分)以在俯视观察时与开口的至少一部分重叠的方式而被配置。 | ||
搜索关键词: | 电子光学 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种电子光学装置,其特征在于,配置有多个像素,在所述电子光学装置中,所述像素在第一方向上具有反射层以及依次层叠在所述反射层上的光学距离调整层、像素电极、绝缘膜、发光功能层和对置电极,所述绝缘膜具有与所述像素电极的一部分重叠的开口,所述反射层以跨及多个所述像素的方式而被配置,且具有反射率较高的部分和与所述反射率较高的部分相比反射率较低的部分,所述反射率较高的部分以在俯视观察时与所述开口的至少一部分重叠的方式而被配置,所述反射层和所述对置电极之间的光学距离被设定为针对每个所述像素而使特定波长区域的光共振的光路长度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510061871.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的