[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201510061920.9 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105990519B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;刘明;孙海涛;吕杭炳;龙世兵;瑞塔姆·白纳吉;张康玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，编程过程期间电离形成的金属离子只能通过纳米孔的位置进入到阻变功能层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510061920.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
