[发明专利]一种图形制作方法、阵列基板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201510062159.0 申请日: 2015-02-05
公开(公告)号: CN104617041B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 苗青;吴俊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1337
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种图形制作方法阵列基板、显示装置,涉及显示领域。其中,方法包括:在所述绝缘层上刻蚀出与所述功能图案相同的凹槽结构,所述凹槽结构的厚度小于所述绝缘层的厚度;在刻蚀有所述凹槽结构的基板上形成待刻蚀为功能图案的图案层;刻蚀非凹槽结构上的所述图案层,得到由保留在所述凹槽结构上的图案层形成的所述功能图案。本发明的方案能够有效减少绝缘层上形成的功能图案的凸起,使像素区域的边缘附近更加平坦,从而提高了PI薄膜的摩擦工艺,避免发生漏光现象。
搜索关键词: 凹槽结构 功能图案 绝缘层 刻蚀 图案层 图形制作 显示装置 阵列基板 漏光现象 摩擦工艺 像素区域 有效减少 非凹槽 基板 凸起 平坦 保留
【主权项】:
1.一种图形制作方法,用于在最上层为绝缘层的基板上形成半导体层图案和源漏电极图案,其特征在于,所述图形制作方法包括:在基板的绝缘层刻蚀出半导体层图案的第一凹槽结构;在刻蚀有第一凹槽结构的绝缘层上,按照源漏电极图案继续进行刻蚀,得到第二凹槽结构的绝缘层;其中,所述第一凹槽刻蚀工艺的刻蚀厚度+所述第二凹槽刻蚀工艺的刻蚀厚度<所述绝缘层的厚度;沉积半导体层;沉积源漏电极金属层;通过一次制图工艺刻蚀掉非凹槽结构上的源漏电极金属层和半导体层,从而一次直接制作出半导体图案和源漏电极图案。
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