[发明专利]高速垂直通道三维与非门存储器装置有效

专利信息
申请号: 201510063076.3 申请日: 2015-02-06
公开(公告)号: CN105990361B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 陈士弘 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11582;G11C16/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 曹玲柱
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种存储器装置。该存储器装置具有导电层的多层堆叠。每个垂直排列位向的柱状体包括串联连接的存储胞,存储胞位于柱状体与导电层的交叉点。串选择线(SSLs)于导电层之上通过,柱状体与串选择线的每个交叉点分别定义出柱状体的一个选择栅极(select gate)。位线于串选线之上通过。柱状体设置于一规则网格上,其中规则网格相对于位线被旋转。网格可以具有正方形、矩形或菱形的存储单元,且可以相对于位线通过tan(θ)=±X/Y旋转一角度θ,其中X和Y为互质的整数。串选择线可以被制成足够宽的以相交存储单元一侧的两个柱状体或存储单元的所有柱状体,或足够宽的以相交两个或更多非相邻的存储单元的柱状体。
搜索关键词: 高速 垂直 通道 三维 与非门 存储器 装置
【主权项】:
1.一种存储器装置,其特征在于,位于一基板上,包括:一多层堆叠,具有多个导电层,各该导电层排列位向平行于该基板;多个柱状体,排列位向正交于该基板,各该柱状体包括多个串联连接的存储胞,该些存储胞位于该些柱状体与该些导电层的多个交叉点;多个串选择线,排列位向平行于该基板且位于该些导电层之上,各该串选择线相交于该些柱状体的一分别不同的子集,该些柱状体与该些串选择线具有多个交叉点,各该柱状体与各该串选择线的各该交叉点分别定义出各该柱状体的一个选择栅极;以及多个彼此平行的位线导体,配置成一层且平行于该基板并位于该些串选择线之上,各该位线导体迭置于该些柱状体的另一分别不同的子集,各该柱状体位于该些位线导体之一之下;其中该些柱状体配置于一规则网格上,该规则网格具有互相垂直的两个横向的空间维度,且该两个空间维度不平行于也不正交于该些位线导体;其中该规则网格具有一存储单元,该存储单元由位于一平行四边形的四个顶点的该些柱状体的四个柱状体A、柱状体B、柱状体C以及柱状体D构成,该柱状体B于该规则网格中为最靠近该柱状体A的一个,且该柱状体C于该规则网格中与该柱状体A和该柱状体B非共线且为最靠近该柱状体A的另一个;该规则网格为可以被区分成相邻存储单元的网格。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510063076.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top