[发明专利]高速垂直通道三维与非门存储器装置有效
申请号: | 201510063076.3 | 申请日: | 2015-02-06 |
公开(公告)号: | CN105990361B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 陈士弘 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/1157 | 分类号: | H01L27/1157;H01L27/11582;G11C16/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供了一种存储器装置。该存储器装置具有导电层的多层堆叠。每个垂直排列位向的柱状体包括串联连接的存储胞,存储胞位于柱状体与导电层的交叉点。串选择线(SSLs)于导电层之上通过,柱状体与串选择线的每个交叉点分别定义出柱状体的一个选择栅极(select gate)。位线于串选线之上通过。柱状体设置于一规则网格上,其中规则网格相对于位线被旋转。网格可以具有正方形、矩形或菱形的存储单元,且可以相对于位线通过tan(θ)=±X/Y旋转一角度θ,其中X和Y为互质的整数。串选择线可以被制成足够宽的以相交存储单元一侧的两个柱状体或存储单元的所有柱状体,或足够宽的以相交两个或更多非相邻的存储单元的柱状体。 | ||
搜索关键词: | 高速 垂直 通道 三维 与非门 存储器 装置 | ||
【主权项】:
1.一种存储器装置,其特征在于,位于一基板上,包括:一多层堆叠,具有多个导电层,各该导电层排列位向平行于该基板;多个柱状体,排列位向正交于该基板,各该柱状体包括多个串联连接的存储胞,该些存储胞位于该些柱状体与该些导电层的多个交叉点;多个串选择线,排列位向平行于该基板且位于该些导电层之上,各该串选择线相交于该些柱状体的一分别不同的子集,该些柱状体与该些串选择线具有多个交叉点,各该柱状体与各该串选择线的各该交叉点分别定义出各该柱状体的一个选择栅极;以及多个彼此平行的位线导体,配置成一层且平行于该基板并位于该些串选择线之上,各该位线导体迭置于该些柱状体的另一分别不同的子集,各该柱状体位于该些位线导体之一之下;其中该些柱状体配置于一规则网格上,该规则网格具有互相垂直的两个横向的空间维度,且该两个空间维度不平行于也不正交于该些位线导体;其中该规则网格具有一存储单元,该存储单元由位于一平行四边形的四个顶点的该些柱状体的四个柱状体A、柱状体B、柱状体C以及柱状体D构成,该柱状体B于该规则网格中为最靠近该柱状体A的一个,且该柱状体C于该规则网格中与该柱状体A和该柱状体B非共线且为最靠近该柱状体A的另一个;该规则网格为可以被区分成相邻存储单元的网格。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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