[发明专利]薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管、阵列基板

摘要

本发明属于显示技术领域，涉及薄膜晶体管的制备方法及薄膜晶体管和阵列基板。该薄膜晶体管的制备方法：在基底上方形成包括不同表面能的图案；将含有有机半导体材料和聚合物绝缘材料的复合溶液涂覆在基底上方，并形成复合薄膜；根据基底上方不同表面能的图案，图案化处理复合薄膜，保留对应着表面能相对较高的图案区域的复合薄膜；通过有机溶剂蒸汽处理法使复合薄膜分层；在图案化的复合薄膜的相对两侧形成分离的两个金属电极。该有机薄膜晶体管的制备方法中，在形成有机半导体层在图案化过程中，严格保证了图案与图案之间成膜同步，消除或减小了基底上各个有机薄膜晶体管的有源层图案之间的成膜差异，从而保证了有机薄膜晶体管阵列的器件性能。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括步骤：在基底上方形成包括不同表面能的图案；将含有有机半导体材料和聚合物绝缘材料的复合溶液涂覆在所述基底上方，并形成复合薄膜；所述复合溶液通过旋涂方法形成所述复合薄膜，其中有机半导体材料和聚合物绝缘材料未形成界面清晰的分层，其中：所述复合溶液的溶剂为沸点温度范围为60‑150℃的低沸点有机溶剂，含有所述低沸点有机溶剂的所述复合溶液的旋涂转速≥3500rpm；或者，所述复合溶液的溶剂为沸点温度范围为150‑250℃的高沸点有机溶剂，含有所述高沸点有机溶剂的所述复合溶液的旋涂转速≥5000rpm；根据所述基底上方不同表面能的图案，图案化处理所述复合薄膜，保留对应着表面能相对较高的图案区域的所述复合薄膜；其中，图案化处理所述复合薄膜通过去除对应着表面能相对较低的图案区域上方的所述复合薄膜实现，包括：在所述复合薄膜上方粘贴具有粘性的胶带，通过所述胶带物理剥离对应着表面能相对较低的图案区域上方的所述复合薄膜；通过有机溶剂蒸汽处理法使图案化的所述复合薄膜分层，分层为有机半导体层在上、聚合物绝缘层在下的结构；在图案化的所述复合薄膜的相对两侧形成分离的两个金属电极。