[发明专利]一种压力计芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV后通孔技术实现。该结构的压力计芯片相比典型器件结构具有芯片尺寸小、自封装的优点；该设计加工工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低，具有较高的成品率；该结构的压力计传感器拥有较薄的芯片厚度而且同时适用于芯片正面向上的压焊封装方式和芯片正面向下的倒装焊封装方式，具有较广阔的应用领域。

主权项

一种压力计芯片结构，包括：压敏电阻、重掺杂接触区、键合面金属引线、金属填充孔、芯片表面金属引线，硅应变膜、玻璃底座以及硅应变膜和玻璃底座之间的密封空腔，所述硅应变膜为与玻璃底座键合并在非键合面上进行了减薄处理的硅片，所述空腔为位于玻璃底座内并通过玻璃底座与硅应变膜的阳极键合形成的密封空腔，所述压敏电阻位于硅应变膜的键合面上并密封在上述空腔内，所述键合面金属引线位于硅应变膜键合面上并通过重掺杂接触区与压敏电阻实现电信号连接，所述键合面金属引线表面存在一层绝缘介质层，所述金属填充孔是硅应变膜中由金属填充的通孔，所述芯片表面金属引线位于芯片表面，并通过金属填充孔实现与键合面金属引线的电连接。