[发明专利]金属间化合物薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510065020.1 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104674335B | 公开（公告）日： | 2018-01-16 |
| 发明（设计）人： | 黄明亮;赵宁;杨帆;张志杰;邓建峰;赵杰 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/52 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，使第一金属基底的温度与第二金属基底之间形成温度梯度，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化合物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属间化合物薄膜的制备方法，其特征在于，提供第一金属基底(10)，所述第一金属基底(10)上采用电镀、溅射、气相沉积或蒸镀制备第一钎料金属层(12)，第一金属基底(10)的材质为Cu、Ni、Pd、Au、Ag和Fe中的一种，第一钎料金属层(12)的材质为Sn、In、SnAg、SnAu、SnCu中的一种；提供第二金属基底(20)；所述第一金属基底(10)和第二金属基底(20)具有相同的材质；所述第一金属基底(10)的温度低于第二金属基底(20)的温度；所述第一金属基底(10)为单晶或具有择优取向；第一金属基底(10)和第二金属基底(20)之间形成温度梯度；所述温度梯度定义为ΔT/Δd，所述ΔT为第二金属基底(20)上表面与第一金属基底(10)下表面之间的温度差，所述Δd为第二金属基底(20)上表面与第一金属基底(10)下表面之间的距离；两金属基底之间的钎料发生钎焊反应生成金属间化合物薄膜(30)，所述金属间化合物薄膜(30)沿所述温度梯度的方向具有单一取向。
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