[发明专利]一种新型背钝化太阳能电池的制备方法无效
申请号: | 201510065084.1 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN104681665A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 蔡永梅;蒋方丹;金浩;陈康平 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型背钝化太阳能电池的制备方法,包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、背表面抛光步骤、钝化膜及保护膜沉积步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤,在完成所述刻蚀并去除PSG步骤以及背表面抛光步骤后,在背表面放置一层掩膜层,然后进行钝化膜及保护膜沉积步骤,所述掩膜层的形状为背电极和背电场组合的形状;钝化膜及保护膜沉积步骤后将掩膜层取走,省略了开膜步骤。本发明简化了生产工艺步骤,降低了生产成本,且丝网印刷方式更有利于大规模的产业化。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 钝化 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新型背钝化太阳能电池的制备方法,包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、背表面抛光步骤、钝化膜及保护膜沉积步骤、丝网印刷步骤和烧结步骤,其特征在于:在完成所述刻蚀并去除PSG步骤以及背表面抛光步骤后,在背表面放置一层掩膜层,然后进行钝化膜及保护膜沉积步骤,所述掩膜层的形状为背电极(1)和背电场(2)组合的形状;钝化膜及保护膜沉积步骤后将掩膜层取走,省略了开膜步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的