[发明专利]一种防止因VR的上MOS击穿烧毁CPU的设计方法在审
| 申请号： | 201510066183.1 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104571450A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 吴福宽;武宁 | 申请（专利权）人： | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F1/28 | 分类号： | G06F1/28;H02H3/24 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止因VR的上MOS击穿烧毁CPU的设计方法，涉及服务器DC电源设计领域，在输入电容的两端增加一个PMOS，通过侦测VR输入电容两端的电压来判断VR的上MOS是否被击穿；一但上MOS发生击穿，立即把P12V拉低，并触发输入电压的短路保护，从而实现整个系统掉电，保护CPU不会被烧坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 防止 vr mos 击穿 烧毁 cpu 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种防止因VR的上MOS击穿烧毁CPU的设计方法，其特征在于，在输入电容端并联一个PMOS，通过侦测VR输入电容两端的电压来判断VR的上MOS是否被击穿；一但上MOS发生击穿，立即把P12V拉低，并触发输入电压的短路保护，从而实现整个系统掉电，保护CPU不会被烧坏。
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