[发明专利]一种GaN纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 201510066337.7 | 申请日： | 2015-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104766910B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张佰君;陈伟杰;林佳利 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字塔微结构，然后通过碱性溶液腐蚀的方法把GaN六角金字塔微结构的{1‑101}侧面腐蚀掉，最终制备成侧面为{1‑100}面，顶面为(0001)面的GaN纳米线。本发明具有工艺简单，纳米线的直径、高度和位置可控等优点，可用于制作高性能的GaN纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN纳米线的制备方法，其特征在于，步骤1：通过MOCVD，在衬底（1）上外延生长三族氮化物薄膜（2）；步骤2：在上述三族氮化物薄膜（2）上沉积介质层，并把该介质层制备成图形化掩蔽膜（3）；步骤3：在上述图形化的三族氮化物薄膜（2）上通过MOCVD选择性区域生长技术外延生长侧面为{1‑100}面，顶面为(0001)面的GaN六角金字塔微结构（4）；步骤4：通过碱性溶液腐蚀，把GaN六角金字塔微结构（4）的{1‑101}面腐蚀掉，最终制备成侧面为{1‑100}面，顶面为(0001)面的GaN纳米线（5）。
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