[发明专利]ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法有效
申请号: | 201510067375.4 | 申请日: | 2015-02-09 |
公开(公告)号: | CN104638066B | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 汪牡丹;陈陈旭;方攸同;孟亮;刘嘉斌 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0296 |
代理公司: | 杭州千克知识产权代理有限公司33246 | 代理人: | 黄芳 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底清洗好的基底备用;制备均匀透明的种子层溶液;室温下将基底浸入种子层溶液在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层;配置均匀的前驱体溶液;使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜;使基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列;将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中;硫化ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列成为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列。本发明具有能够吸收太阳光谱中波长大于362nm的可见光,光吸收和光响应性能好的优点。 | ||
搜索关键词: | zno zns fes2 结构 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)使用FTO导电玻璃作为基底,依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中分别进行超声波清洗15min, 将清洗好的基底干燥后备用;2)将二水醋酸锌溶于乙二醇甲醚和乙醇胺的混合溶液中,乙醇胺与锌离子的摩尔比为1:1,将二水醋酸锌、乙二醇甲醚和乙醇胺混合溶液在60℃下磁力搅拌至二水醋酸锌溶解完全,形成均匀透明的种子层溶液;3)室温下将基底浸入种子层溶液,以200 mm/min的速度向上提拉镀膜,80℃干燥镀膜完成的基底,至少重复以上操作6次,在基底上形成至少6层镀膜;在空气气氛中对具有镀膜的基底进行350℃退火30min,从而在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层;4)配置硝酸锌和六次甲基四胺的水溶液,硝酸锌和六次甲基四胺的摩尔比为1:1,磁力搅拌该水溶液至硝酸锌和六次甲基四胺溶解完全,得到均匀的前驱体溶液;5)量取适量前驱体溶液,将前驱体溶液转移至反应釜中,将具有ZnO纳米晶种子层的基底浸泡于前驱体溶液中,将反应釜密封置于恒温干燥箱中,使ZnO纳米晶种子层生长成为ZnO纳米棒阵列;反应后将反应釜自然冷却至室温,再将基底从反应釜取出,用去离子水洗涤基底并干燥,此时,基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜;6)配置浓度为6mmol/L的Fe(NO3)3溶液,室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的基底浸入该Fe(NO3)3溶液中静置,静置时间在1min之内,此时ZnO纳米棒阵列表面覆上一层Fe(OH)3层,取出基底并用去离子水洗涤后干燥,基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列;7)将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中,封装前抽真空至低于1ⅹ10‑2Pa,并充氩气反复置换5‑8次;8)封装后的试样在等温炉中进行硫化处理,硫化温度低于600℃,ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列转化为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列,每个ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒从内向外依次为ZnO内核、ZnS层和FeS2纳米颗粒层,基底表面覆盖ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510067375.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的