[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510067481.2 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104900699B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 上西显宽 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够同时确保HVIC的耐压和pchMOSFET的电流容量均处于最佳状态的半导体装置。n‑型扩散区域包围高压侧阱区的周围，且与低压侧区域电气分离。n‑型扩散区域中设置有彼此分离的第1、第2p型扩散区域。第1p型扩散区域构成电平上拉用电平移位电路的nchMOSFET、以及高压结终端结构部的双RESURF结构。第2p型扩散区域构成电平下拉用电平移位电路的pchMOSFET的双RESURF结构。n‑型扩散区域的杂质浓度在1.3×1012/cm2以上2.8×1012/cm2以下。第1、第2p型扩散区域的杂质浓度在1.1×1012/cm2以上1.4×1012/cm2以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第1导电型的第1场效应晶体管；以及元件，所述第1导电型的第1场效应晶体管具备：第2导电型的第1半导体区域，该第2导电型的第1半导体区域设置在第1导电型的半导体基板上，或者形成在所述第1导电型的半导体基板的表面层上；第1导电型的第2半导体区域，该第1导电型的第2半导体区域选择性地设置于所述第1半导体区域的表面层；第1导电型的第3半导体区域，该第1导电型的第3半导体区域以与所述第2半导体区域分离的方式选择性地设置于所述第1半导体区域的表面层；第1栅极电极，该第1栅极电极隔着第1栅极绝缘膜设置在所述第1半导体区域的被所述第2半导体区域与所述第3半导体区域夹住的部分的表面上；第1导电型的第4半导体区域，该第1导电型的第4半导体区域选择性地设置于所述第2半导体区域的内部；第1电极，该第1电极与所述第3半导体区域相接；以及第2电极，该第2电极与所述第4半导体区域相接；所述元件具备以与所述第2半导体区域和所述第3半导体区域相分离的方式设置于所述第1半导体区域的表面层的第1导电型的第5半导体区域，且通过所述第1半导体区域的被所述第2半导体区域与所述第5半导体区域夹住的部分而与所述第1导电型的第1场效应晶体管相分离，所述第1半导体区域的被所述第2半导体区域与所述半导体基板夹住的部位的半导体基板表面每单位面积的杂质浓度为1.3×1012/cm2以上2.8×1012/cm2以下，所述第2半导体区域的半导体基板表面每单位面积的杂质浓度为1.1×1012/cm2以上1.4×1012/cm2以下。
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