[发明专利]等离子体处理装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201510067623.5 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN105990081B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张力;贺小明;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体处理装置及其制作方法，所述等离子体处理装置包括：至少一个暴露于等离子体的部件，所述部件包括：基体；位于所述基体表面的第一保护层，所述第一保护层内包括若干孔洞；位于所述第一保护层表面的第二保护层，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度，所述第二保护层内的孔洞百分比密度为0～1％。所述等离子体处理装置的处理状态稳定、寿命延长，抗等离子体侵蚀的能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：至少一个暴露于等离子体的部件，所述部件包括：基体；位于所述基体表面的第一保护层，所述第一保护层内包括若干孔洞；位于所述第一保护层表面的第二保护层，所述第二保护层的密度高于所述第一保护层的密度，所述第二保护层内的孔洞百分比密度为0～1％，所述第一保护层内孔洞的体积百分比密度为2％～20％；所述第一保护层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面与基体相接触，所述第二表面与第二保护层相接触；自所述第一表面至第二表面，所述第一保护层的密度逐渐增大。
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