[发明专利]阵列基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201510067735.0 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104617042B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/288;H01L21/768;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的阵列基板制备工艺复杂或薄膜晶体管性能不好的问题。本发明的阵列基板制备方法包括步骤1在基底上形成半导体材料层；步骤2在完成前述步骤的基底上形成光刻胶层，并通过曝光、显影至少除去对应源极、漏极位置的光刻胶层；步骤3在完成前述步骤的基底上通过电镀工艺形成包括源极、漏极的图形；步骤4剥离所述光刻胶层，在完成前述步骤的基底上通过构图工艺形成包括有源区的图形。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在基底上形成半导体材料层；步骤2：在完成前述步骤的基底上形成光刻胶层，并通过曝光、显影至少除去对应源极、漏极位置的光刻胶层；步骤3：在完成前述步骤的基底上通过电镀工艺形成包括源极、漏极的图形；步骤4：剥离所述光刻胶层，在完成前述步骤的基底上通过构图工艺形成包括有源区的图形；所述源极、漏极由铜构成；在所述步骤3和步骤4之间，还包括：在所述包括源极、漏极的图形上形成保护金属层；所述在包括源极、漏极的图形上形成保护金属层包括：通过电镀工艺在所述包括源极、漏极的图形上形成保护金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
