[发明专利]高深宽比超分辨纳米光刻结构和方法有效
| 申请号： | 201510068981.8 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104614949A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张书霞;杨学峰;王耿;李明;刘振深 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 454000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米光刻结构和方法，具体为高深宽比超分辨纳米光刻结构，依次包括透明的上基底层、金属光栅层、光刻胶层、增益介质层、金属薄膜层和下基底层，所述金属光栅层、光刻胶层、增益介质层和金属薄膜层共同构成了基于表面等离子体的四层金属波导共振腔结构。本发明提供的高深宽比超分辨纳米光刻结构，金属波导结构有金属光栅、光刻胶层、增益介质和金属薄膜层等四层金属波导组成，生成的纳米图形的深宽比，突破了现有的表面等离子体光刻技术。产生的纳米光刻条纹的深宽比相比于现有基于表面等离子体光刻方法提高很多，该光刻技术方法可以通过调节增益介质的材料和厚度来调节纳米图形分辨率和深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 分辨 纳米 光刻 结构 方法 | ||
【主权项】：
高深宽比超分辨纳米光刻结构，其特征在于：依次包括透明的上基底层、金属光栅层、光刻胶层、增益介质层、金属薄膜层和下基底层，所述金属光栅层、光刻胶层、增益介质层和金属薄膜层共同构成了基于表面等离子体的四层金属波导共振腔结构；上基底层是由石英组成；金属光栅层的材料为Cr、Au、Ag或Al，厚度为20nm～200nm，金属光栅的占空比为0.6～0.85；光刻胶层厚度为20nm～500nm；增益介质层厚度为5nm～40nm；金属薄膜层厚度为20nm～50nm；下基底层由石英、硅或者聚对苯二甲酸乙二醇酯组成。
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