[发明专利]一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑料薄膜及其制备方法与应用有效
申请号: | 201510069588.0 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN105989911B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 彭海琳;邓兵;刘忠范 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 | 代理人: | 关畅,赵静 |
地址: | 100000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑胶薄膜及其制备方法与应用,包括如下步骤1)利用化学气相沉积法在铜基底上沉积石墨烯,得到铜基底/石墨烯薄膜复合结构;2)在塑胶衬底表面涂布金属纳米线,即可得到金属纳米线/塑胶衬底复合塑胶膜;3)将所述铜基底/石墨烯薄膜复合结构和所述金属纳米线/塑胶衬底复合塑胶膜贴合,热压印,得到铜基底/石墨烯薄膜/金属纳米线/塑胶衬底复合结构;4)采用电化学鼓泡方法去除铜基底,即得到所述石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑胶薄膜。其具有高的透光性和导电性、优异的环境稳定性、抗化学腐蚀能力和良好的柔性,可用于多种电子器件,如电致变色器件和触摸屏等。 | ||
搜索关键词: | 一种 石墨 金属 纳米 复合 透明 导电 塑料薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑料薄膜的制备方法,包括如下步骤:1)利用化学气相沉积法在铜基底上沉积石墨烯,得到铜基底/石墨烯薄膜复合结构;2)在塑料衬底表面涂布金属纳米线,即可得到金属纳米线/塑料衬底复合塑料膜;所述塑料衬底为聚对苯二甲酸乙二醇酯/乙烯‑醋酸乙烯共聚物高分子透明薄膜;3)将所述铜基底/石墨烯薄膜复合结构中的石墨烯薄膜和所述金属纳米线/塑料衬底复合塑料膜中的金属纳米线贴合,热压印,得到铜基底/石墨烯薄膜/金属纳米线/塑料衬底复合结构;4)采用电化学鼓泡方法去除所述铜基底/石墨烯薄膜/金属纳米线/塑料衬底复合结构中的铜基底,即得到石墨烯薄膜/金属纳米线/塑料衬底复合薄膜,即所述石墨烯和金属纳米线复合透明导电塑料薄膜;所述电化学鼓泡方法采用液面式的鼓泡法。
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