[发明专利]一种镀膜硅基材料及其制备方法和镀膜处理液

摘要

本发明提供了一种镀膜硅基材料，所述镀膜硅基材料包括硅基材料层和金属层，所述金属层沉积在所述硅基材料层的表面，所述金属层的电负性大于硅的电负性。所述镀膜硅基材料的导电性能良好，因此能够直接用于扫描式电子显微镜(SEM)检测且精度较高。本发明还提供了该镀膜硅基材料的制备方法，在硅基材料进行SEM测试前，先置于镀膜处理液中处理2‑50s，制得镀膜硅基材料，其中所述镀膜处理液中，氢氟酸的浓度为1‑22mol/L，金属离子的摩尔浓度为0.001‑0.1mol/L，所述金属的电负性大于硅。该制备方法更易于操作，不需使用镀膜仪。本发明还提供了一种镀膜处理液。

主权项

一种镀膜硅基材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)配制镀膜处理液：将氢氟酸、金属盐和水混合，得到镀膜处理液，其中，所述镀膜处理液中，氢氟酸的浓度为10‑19mol/L，金属离子的摩尔浓度为0.005‑0.054mol/L；(2)镀膜处理：取硅基材料，置于所述镀膜处理液中进行处理，处理温度为15‑50℃，处理时间为5‑20s；(3)将步骤(2)处理后的硅基材料取出，进行清洗、烘干处理，得到镀膜硅基材料，所述镀膜硅基材料包括硅基材料层和金属层，所述金属层沉积在所述硅基材料层的表面，所述金属层的电负性大于硅的电负性。