[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510070359.0 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990479A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 孙钱;李增成;黄应南;孙秀建;鲁德;刘小平 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（常州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/34;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括衬底，该衬底上从下至上依次设有：应力控制层，硅掺杂的n型GaN层，应力缓冲层，多量子阱有源区，间隔层，电子阻挡层，p型GaN层，以及 p型欧姆接触层，其特征在于，所述多量子阱有源区包括量子阱和不同硅掺杂浓度的量子垒，且靠近p型GaN层一侧量子垒的硅掺杂浓度低于靠近n型GaN层一侧量子垒的硅掺杂浓度。本发明通过在量子垒中掺杂不同浓度的硅来制备发光二极管外延结构，可以有效的改善多量子阱中载流子的输运，使载流子分布更为均匀，提高辐射复合效率，同时降低器件工作电压，提高外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管外延结构，包括衬底，该衬底上从下至上依次设有：应力控制层，硅掺杂的n型GaN层，应力缓冲层，多量子阱有源区，间隔层，电子阻挡层， p型GaN层，以及 p型欧姆接触层，其特征在于，所述多量子阱有源区包括量子阱和不同硅掺杂浓度的量子垒，且靠近p型GaN层一侧量子垒的硅掺杂浓度低于靠近n型GaN层一侧量子垒的硅掺杂浓度。
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