[发明专利]一种高压PMOS及其制造方法有效
| 申请号： | 201510070470.X | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990109B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吕宇强;倪胜中 | 申请（专利权）人： | 帝奥微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 袁辉 |
| 地址： | 201103 上海市闵行区合*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高压PMOS，所述的高压PMOS的漂移区由低压NMOS的P阱和高压NMOS的P型体区共同形成。本发明还提供了一种高压PMOS的制造方法包括：先在形成深N阱的P型衬底上，实施有源区光刻进行局部选择氧化工艺，以形成场氧化层且定义有源区；于前述有源区生成N阱后，于前述N阱上实施P阱光刻,注入形成低压NMOS的P阱；以及于前述P阱上实施P型体区光刻,注入形成高压NMOS的P型体区，前述的低压NMOS的P阱以及高压NMOS的P型体区形成高压PMOS的漂移区。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 pmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压PMOS，其特征在于，所述的高压PMOS的漂移区由低压NMOS的P阱和高压NMOS的P型体区共同形成；所述的高压PMOS的漂移区表面为场氧化层、浅槽氧化物填充或厚栅氧结构；所述的高压PMOS结构包括有效栅极多晶硅、漏极漂移区、P型体区以及N型重掺杂源漏区，其中，所述的有效栅极多晶硅长度为1.0到3.0μm,所述的漏极漂移区长度为0.5到4.0μm，以及所述的P型体区延伸超出所述的N型重掺杂源漏区的长度为0.2到3.8μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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