[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201510071240.5 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN104916636B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 宫沢繁美 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种能够确保噪声耐量并且比现有开关速度快的半导体装置。本发明的半导体装置包括功率半导体元件、连接到功率半导体元件的栅极端子的栅极下拉电路、连接在输入端子和功率半导体元件的栅极端子之间的栅极电阻,栅极下拉电路具有在输入到输入端子的信号为低电位时从功率半导体元件的栅极电容抽出电荷的恒定电流电路。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置为使功率半导体元件开关的半导体装置,所述半导体装置包括:功率半导体元件;栅极下拉电路,连接到所述功率半导体元件的栅极端子;栅极电阻,连接到所述半导体装置的输入端子和所述功率半导体元件的栅极端子之间,所述栅极下拉电路具有恒定电流电路,在输入到所述输入端子的信号为低电平时,从所述功率半导体元件的栅极电容抽出电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的