[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510071240.5 申请日: 2015-02-11
公开(公告)号: CN104916636B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 宫沢繁美 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了一种能够确保噪声耐量并且比现有开关速度快的半导体装置。本发明的半导体装置包括功率半导体元件、连接到功率半导体元件的栅极端子的栅极下拉电路、连接在输入端子和功率半导体元件的栅极端子之间的栅极电阻,栅极下拉电路具有在输入到输入端子的信号为低电位时从功率半导体元件的栅极电容抽出电荷的恒定电流电路。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置为使功率半导体元件开关的半导体装置,所述半导体装置包括:功率半导体元件;栅极下拉电路,连接到所述功率半导体元件的栅极端子;栅极电阻,连接到所述半导体装置的输入端子和所述功率半导体元件的栅极端子之间,所述栅极下拉电路具有恒定电流电路,在输入到所述输入端子的信号为低电平时,从所述功率半导体元件的栅极电容抽出电荷。
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