[发明专利]多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201510071527.8 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN105990409B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王明华;王伟;樊晓华;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 隧穿结 三维 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。
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