[发明专利]一种中红外非线性光学晶体材料RbIO2F2及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510071737.7 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104611769B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 吴奇;秦金贵 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B7/10;C01B11/22 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料，其化学式为RbIO2F2，上述材料的晶体空间群为Pca21，晶胞参数为a=8.567(4) Å、b=6.151(3)Å、c=8.652(4) Å、α=β=γ=90◦、Z=4。本发明还提供了上述晶体材料的水热法制备方法，本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位匹配的倍频效应（SHG)，Kurtz粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾（KDP)的4倍；激光损伤阈值至少为700 MW/cm2，是目前的商用的中红外非线性光学晶体材AgGaS2的激光损伤阈值的23倍以上；在可见光区和中红外光区有较宽的透过范围，完全透过波段为0.29〜12微米；不含结晶水，对空气稳定，且热稳定性较好；可利用简单的溶剂挥发法制备单晶材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 红外 非线性 光学 晶体 材料 rbio2f2 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种中红外非线性光学晶体材料，其特征在于：其化学式为RbIO2F2，晶体空间群为Pca21，晶胞参数为：α＝β＝γ＝90°、Z＝4。
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