[发明专利]二维硫族晶体的印刷式定点生长方法

摘要

本发明公开了一种二维硫族晶体的印刷式定点生长方法。该方法包括1)将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2)在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置图案化修饰的基底和硫族材料进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即得到所述二维硫族晶体。本发明发展了一套普适的二维硫族原子晶体控制生长的方法，可以得到大面积，高质量的形状、成核位点、取向和厚度可控的二维硫族原子晶体。这种方法制备得到的二维硫族原子晶体阵列可以被转移至其它任意基底，并在光电检测等领域具有重要的潜在应用。

主权项

一种制备二维硫族晶体的方法，包括如下步骤：1）将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2）在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置步骤1）所得图案化修饰的基底和硫族材料，由室温升温后进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即在所述图案化的修饰的基底上得到所述二维硫族晶体；所述步骤2）物理气相沉积步骤中，所述图案化修饰的基底的温度比所述硫族材料的温度低50‑250℃；沉积的压强为2.7千帕或6.7千帕；所述硫族材料的沉积温度为低于所述硫族材料的熔点100℃‑200℃的温度；沉积的时间为2min、5min、60min、2h、10h。