[发明专利]一种高线性度宽带巴伦低噪声放大器有效
申请号: | 201510073198.0 | 申请日: | 2015-02-11 |
公开(公告)号: | CN104579184B | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 黄东;刁盛锡;林福江 | 申请(专利权)人: | 中国科学技术大学 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03F1/32 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司11260 | 代理人: | 郑立明,郑哲 |
地址: | 230026 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种高线性度宽带巴伦低噪声放大器,其包括相互连接的共栅级与共源级;共栅级对输入的射频信号正向放大,共源级对输入的射频信号反向放大实现单端信号到差分信号的转换,并且该共源级还采用后失真技术及噪声抑制技术来实现输出信号的高线性度与低噪声。通过采用本发明公开的高线性度宽带巴伦低噪声放大器,可以同时获得在较宽的偏压范围内的高IIP2和IIP3;此外,本发明对共源级中放大管的衬底噪声进行了优化,提高了整个放大器的噪声性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 线性 宽带 低噪声放大器 | ||
【主权项】:
一种高线性度宽带巴伦低噪声放大器,其特征在于,包括:相互连接的共栅级与共源级;共栅级对输入的射频信号正向放大,共源级对输入的射频信号反向放大实现单端信号到差分信号的转换,并且该共源级还采用后失真技术及噪声抑制技术来实现输出信号的高线性度与低噪声;所述共源级包括:共源级包括共源管MCS、NMOS管Mcas2,PMOS管Mp,电阻R1、R2、Radd、RCS,以及电容C2;其中,共源管MCS的源端接地,共源管MCS的衬底和源端串接电阻Radd,共源管MCS的栅端通过隔直电容C1与共栅级相连,并接收输入的射频信号Vin,共源管MCS的栅端还接电阻R1的一端,R1的另一端接偏置电压Vb1;该共源管MCS的漏端还与NMOS管Mcas2的源端相连;NMOS管Mcas2的栅端接偏置电压Vb2,NMOS管Mcas2漏端与PMOS管Mp的漏端相连,NMOS管Mcas2漏端还接共源级负载电阻RCS的一端,并且NMOS管Mcas2漏端还输出反向射频放大信号VX,电阻RCS的另一端接电源VDD;PMOS管Mp的源端接电源VDD,PMOS管Mp栅端通过隔直电容C2和其自身漏端相连,PMOS管Mp栅端还接电阻R2的一端,电阻R2的另一端接偏置电压Vbp。
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