[发明专利]一种平面光波导及其制备方法有效
| 申请号： | 201510073921.5 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104635298B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 林升德;吴金东;胡海鑫 | 申请（专利权）人： | 深圳太辰光通信股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 刘莉 |
| 地址： | 518040 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面光波导及其制备方法，所述平面光波导包括下包层、波导芯层、隔离层和上包层，所述上包层和所述下包层的折射率相等且高于所述隔离层的折射率，所述隔离层形成在所述下包层上，所述波导芯层被完全包覆在所述隔离层中，所述上包层形成在所述隔离层上。本发明可以使得平面光波导的折射率分布更优，降低器件损耗，可以更容易实现1250‑1650全带宽性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种平面光波导，其特征在于，包括：下包层、波导芯层、隔离层和上包层，所述上包层和所述下包层的折射率相等且高于所述隔离层的折射率，所述隔离层形成在所述下包层上，所述波导芯层被完全包覆在所述隔离层中，所述上包层形成在所述隔离层上；所述隔离层的熔点低于所述波导芯层的熔点，且填充所述波导芯层的各个间隙；所述上包层的熔点低于所述波导芯层的熔点；所述波导芯层的材料为掺杂锗的二氧化硅，所述下包层的材料为二氧化硅；所述隔离层的材料为掺杂有氟和锗的二氧化硅，其中所述氟的掺杂质量为所述二氧化硅质量的1‑2％，所述锗的掺杂质量为所述二氧化硅质量的3‑6％，且所述氟和锗的掺杂质量比大于1:3；所述上包层的材料为掺杂有氟和锗的二氧化硅，其中所述氟的掺杂质量为所述二氧化硅质量的1‑3％，所述锗的掺杂质量为所述二氧化硅质量的3‑6％，且所述氟和锗的掺杂质量比为1:3。
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