[发明专利]提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法在审
| 申请号： | 201510074834.1 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104659202A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周俊;倪经;陈彦;黄豹;邹延珂;郭韦;曹照亮 | 申请（专利权）人： | 西南应用磁学研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 621000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隧道结(MTJ)薄膜的制备方法，其公开了一种可以提高巨磁电阻效应的隧道结薄膜的制备方法，包括如下步骤：(a)在基底上依次沉积底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层；(b)对制备的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层进行退火工艺处理；(c)退火工艺处理完毕沉积顶电极层。本发明的有益效果是：本发明的磁性随机存储器被广泛应用于军事、民事等领域，其结构为具有隧道结磁电阻效应的磁性隧道结，为了进一步提高磁性随机存储器的存储密度，极大提高隧道结的磁电阻效应；发明重新设计隧道结的制备流程，避免顶电极层与自由铁磁层间的扩散，制备的隧道结薄膜可以提高磁电阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 隧道 薄膜 磁电 效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高隧道结薄膜磁电阻效应的制备方法，其特征在于:包括如下步骤：(a)在基底上依次沉积底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层；(b)对制备的底电极层、反铁磁层、钉扎铁磁层、隧穿层、自由铁磁层进行退火工艺处理；(c) 退火工艺处理完毕沉积顶电极层。
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