[发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法有效
| 申请号： | 201510075588.1 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN105989872B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 游江成;连南钧 | 申请（专利权）人： | 円星科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。SRAM模块的写入控制方法应用于具有多个记忆体单元及一位元线的一SRAM模块，包含：在多个记忆体单元的数据保存期间提供一第一电压准位作为该多个记忆体单元的供应电压；将该多个记忆体单元对应储存的该第一电压准位放电至一第二电压准位；以及利用该位元线对该多个记忆体单元执行写入程序；其中该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量有关。 | ||
| 搜索关键词： | sram 模块 写入 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM模块，其特征在于，包含：位元线；多个记忆单元耦接于该位元线；开关元件，用于在该多个记忆体单元的数据保存期间提供第一电压准位作为该多个记忆体单元的供应电压；放电单元，用于将该多个记忆体单元对应储存的该第一电压准位放电至第二电压准位；以及写入驱动电路，利用该位元线对该多个记忆体单元执行写入程序；其中该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量有关，且该第一电压准位放电至该第二电压准位的放电时间与该多个记忆体单元的数量成正比关系，而该第一电压准位与该第二电压准位的电压差为定值，不受该多个记忆体单元的数量影响。
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