[发明专利]具有命令/地址管脚的与非闪存以及包括其的闪存系统有效
| 申请号： | 201510075828.8 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN104681072B | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 林田泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇;侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种NAND闪存设备，包括：存储单元阵列，其具有多个存储块；页面缓冲器，其被配置为暂时存储将要写入该存储单元阵列的写数据，或者暂时存储来自该存储单元阵列的读数据；数据输入/输出I/O电路，其被配置为响应于时钟信号从外部设备向该页面缓冲器传送该写数据，或者响应于该时钟信号输出该读数据；以及状态寄存器，其被配置为响应于该时钟信号向该外部设备输出该NAND闪存设备的状态数据，其中，该NAND闪存设备的状态数据指示是否执行擦除、写、或读操作，其中，根据双数据率DDR传输方法输入和输出该写数据和该读数据两者，而且其中，与根据DDR传输方法输入和输出其写数据和读数据的擦除、写、或读操作联合，根据不是DDR传输方法的传输方法输出该状态数据。 | ||
| 搜索关键词： | 读数据 写数据 存储单元阵列 外部设备 传输 输出 页面缓冲器 时钟信号 状态数据 存储 读操作 擦除 响应 配置 时钟信号输出 状态数据指示 状态寄存器 地址管脚 闪存系统 双数据率 与非闪存 输出I/O 电路 写入 传送 联合 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存设备，包括：存储单元阵列，其具有多个存储块；页面缓冲器，其被配置为暂时存储将要写入该存储单元阵列的写数据，或者暂时存储来自该存储单元阵列的读数据；数据输入/输出I/O电路，其被配置为响应于时钟信号从外部设备向该页面缓冲器传送该写数据，或者响应于该时钟信号输出该读数据；以及状态寄存器，其被配置为响应于该时钟信号向该外部设备输出该NAND闪存设备的状态数据，其中，该NAND闪存设备的状态数据指示是否执行擦除、写、或读操作，其中，根据双数据率DDR传输方法输入和输出该写数据和该读数据两者，其中，与根据DDR传输方法输入和输出其写数据和读数据的擦除、写、或读操作联合，根据不是DDR传输方法的传输方法输出该状态数据,而且其中，该状态寄存器响应于来自该外部设备的状态读命令输出该状态数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510075828.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：二阶魔方MP3播放器
- 下一篇：带有小型望远镜和指南针的闪存卡
