[发明专利]一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构在审
| 申请号： | 201510076359.1 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN104659102A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡盛东;陈银晖;金晶晶;周峰;陈宗泽;黄野 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底1、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层4和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层2，所述部分复合埋氧层4包括并列设置的埋氧层3和复合埋层，所述复合埋层包括设置在P/N衬底上的底层埋氧层7、设置底层埋氧层上的中间多晶硅层6和设置在中间多晶硅层上的首层埋氧层5。本发明在常规的SOI耐压结构基础上，将埋氧层的一部分替换为“首层氧化层-中间多晶硅层-底层氧化层”的复合埋层结构。关态时复合埋层与埋氧层界面位置出现新电场峰，因而击穿电压更高，且满足RESURF条件的有源顶层硅内杂质浓度更高，开态导通电阻更低。另外，由于多晶硅热导率高于氧化硅，本结构导热性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 部分 复合 soi 耐压 结构 | ||
【主权项】：
一种具有部分复合埋层的SOI耐压结构，包括P/N衬底(1)、设置在P/N衬底上的部分复合埋氧层(4)和设置在部分复合埋氧层上的有源顶硅层(2)，其特征在于：所述部分复合埋氧层(4)包括并列设置的埋氧层(3)和复合埋层，所述复合埋层包括设置在P/N衬底上的底层埋氧层(7)、设置底层埋氧层上的中间多晶硅层(6)和设置在中间多晶硅层上的首层埋氧层(5)。
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