[发明专利]一种尺寸可控制的纳米块制作方法有效
| 申请号： | 201510076382.0 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104698745B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 金建;邸思;陈贤帅;杜如虚 | 申请（专利权）人： | 广州中国科学院先进技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/30;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 郑莹 |
| 地址： | 511458 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种尺寸可控制的纳米块制作方法，该方法包括：在基底的上表面设置一光刻胶层；对所述的基底进行第一次曝光，从而在光刻胶层上记录一维光栅图形；对第一次曝光后的基底进行显影，从而显露出一维光刻胶光栅图案；对显影后的基底进行第二次曝光和显影，从而将一维光刻胶光栅图案变为光刻胶纳米块阵列；对带有光刻胶纳米块阵列的基底进行刻蚀后，将光刻胶除去，从而实现纳米块的制作。本发明的方法具有纳米块尺寸可控制、成本低、不需复杂的设备及可用于大面积制作的优点。本发明可广泛应用于纳米块制作的领域中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 控制 纳米 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种尺寸可控制的纳米块制作方法，其特征在于：该方法包括：S1、在基底的上表面设置一光刻胶层；S2、对所述的基底进行第一次曝光，从而在光刻胶层上记录一维光栅图形；S3、对第一次曝光后的基底进行显影，从而显露出一维光刻胶光栅图案；S4、对步骤S3中显影后的基底进行第二次曝光和显影，从而将一维光刻胶光栅图案变为光刻胶纳米块阵列；S5、对带有光刻胶纳米块阵列的基底进行刻蚀后，将光刻胶除去，从而实现纳米块的制作；所述的步骤S4包括：S41、将带有光栅图案的掩膜板置于所述步骤S3中显影后的基底上，所述掩膜板上的光栅线条方向与所述基底上的光栅线条方向垂直；S42、对步骤S41中所述的基底进行第二次曝光，然后对第二次曝光后的基底进行显影，从而将一维光刻胶光栅图案变为光刻胶纳米块阵列。
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