[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

摘要

本发明提供一种相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻的蚀刻方法和等离子体处理装置。该方法具有工序(a)和工序(b)。在工序(a)中，将被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中而在第2区域上形成比形成在第1区域上的保护膜厚的保护膜。在工序(b)中，利用碳氟化合物气体的等离子体来对第1区域进行蚀刻。在工序(a)中，将被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度。

主权项

一种蚀刻方法，其相对于由氮化硅构成的第2区域而对由氧化硅构成的第1区域选择性地进行蚀刻，其中，该蚀刻方法包括以下工序：在所述第2区域上形成比形成在所述第1区域上的保护膜厚的保护膜的保护膜形成工序，在该保护膜形成工序中，将具有该第1区域和该第2区域的被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中；以及对所述第1区域进行蚀刻的蚀刻工序，在该蚀刻工序中，将所述被处理体暴露在碳氟化合物气体的等离子体中，使在形成所述保护膜的所述保护膜形成工序中向用于载置所述被处理体的载置台供给的高频偏置电力小于在对所述第1区域进行蚀刻的所述蚀刻工序中向所述载置台供给的高频偏置电力，在形成所述保护膜的所述保护膜形成工序中，将所述被处理体的温度设定为60℃～250℃的温度，其中，将所述第2区域埋入到所述第1区域内，该蚀刻方法还包括以下工序：生成含有氢、氮以及氟的气体的等离子体而使所述第1区域变质以形成变质区域的工序；以及去除所述变质区域的工序，在通过形成所述变质区域的工序和去除所述变质区域的工序而使所述第2区域暴露之后，进行形成所述保护膜的工序和对所述第1区域进行蚀刻的工序。