[发明专利]一种空气中稳定的钙钛矿薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510076696.0 申请日: 2015-02-12
公开(公告)号: CN104659212A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 黄芳;袁国栋;李晋闽 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法,包括两种方案:方案一:配制IV、VII族化合物溶液;将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面,形成第一薄溶液层;采用气体将之吹干,形成第一薄膜;配制甲基卤化铵溶液,将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面,化学反应形成第二薄溶液层;采用气体将之吹干成膜;将薄膜加热烘干或者退火,得到钙钛矿薄膜。方案二:配制IV、VII族化合物和甲基卤化铵两种或多种混合溶液;将之喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面,形成薄溶液层;采用气体将之吹干成膜;将薄膜加热烘干或者退火,得到钙钛矿薄膜。本发明提供的制备方法,步骤简单,工艺参数方便控制,适宜大面积规模化流水线生产。
搜索关键词: 一种 空气 稳定 钙钛矿 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种空气中稳定存在的钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,包括:步骤1:配制IV、VII族化合物溶液;步骤2:将配制的IV、VII族化合物溶液喷淋、滴定、旋涂或印刷至衬底表面,在衬底表面形成第一薄溶液层;步骤3:采用气体将衬底表面的第一薄溶液层吹干,形成第一薄膜;步骤4:配制甲基卤化铵CH3NH3X溶液,将配制的甲基卤化铵CH3NH3X溶液喷淋、滴定、旋涂或印刷至第一薄膜表面,甲基卤化铵CH3NH3X溶液与第一薄膜发生化学反应,形成第二薄溶液层;步骤5:采用气体将第二薄溶液层吹干,形成化合物薄膜;步骤6:将化合物薄膜加热烘干或者退火,得到所需的钙钛矿薄膜。
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