[发明专利]一种波浪状纳米带及基于波浪状纳米带的纳米激光器阵列制备方法

摘要

本发明公开了一种波浪状纳米带及基于波浪状纳米带的纳米激光器阵列制备方法，通过大量的实验分析得出了如何控制生长过程中气氛条件，巧妙的实现了波浪状CdS纳米带的制备。微结构表征结果表明本波浪状CdS纳米带的形成是由厚度周期变化而引起，形成沿宽度方向具有三角形截面的纳米脊状结构，这些脊状结构沿纳米带长度方向周期排列而形阵列。利用纳米脊状结构形成的沿纳米带宽度方向的光学腔，当光在纳米带中波导时，光将被限域在这些纳米光学腔内，进而产生谐振激射。利用波浪状CdS纳米带在光激发下产生纳米激光器阵列，从而解决了常规表面平整的纳米带无法观察到沿宽度方向的光振荡，并实现基于纳米带的纳米波导腔和纳米激光器阵列。

主权项

一种波浪状CdS纳米带的制备方法，其特征在于，通过管式反应装置实现波浪状CdS纳米带的制备，所述的管式反应装置的一端为气体入口端，另一端为气体出口端，管式反应装置内从气体入口端到气体出口端依次设置I、II、III三个温区；进行波浪状CdS纳米带的制备时，将Sn粉、CdS粉和表面沉积有Au膜的Si片依次分别放置在I、II、III三个温区内，先从气体入口端通入惰性气体，再对管式反应装置进行程序加热升温，使I、II、III温区的温度分别维持在不低于200℃、800～880℃和550～650℃的范围内进行反应，反应完成后，冷却，即在Si片上获得所述的波浪状CdS纳米带；其中，CdS粉和Sn粉的质量比为30:1～30:10；所述对管式反应装置进行程序加热过程持续0.5‑2小时或1.5‑2小时。