[发明专利]具有预留空间的三维掩膜编程只读存储器

摘要

本发明提出一种具有预留存储层的三维掩膜编程只读存储器（3D-MPROM_RL）。原始3D-MPROM_RL只含有原始存储层；更新3D-MPROM_RL还在原始存储层上方形成新的存储层（称为预留存储层）。在同一3D-MPROM_RL家族中，除了预留存储层以外，不同版本的3D-MPROM_RL都是相同的。对所有3D-MPROM_RL版本来说，不管它是否形成了预留存储层，其衬底电路均含有所有存储层（包括预留存储层）的周边电路。

主权项

一种具有预留存储层的三维掩膜编程只读存储器（3D‑MPROM_RL）家族，其特征在于含有：一含有第一3D‑MPROM阵列的第一3D‑MPROM芯片，该第一3D‑MPROM阵列含有多个相互堆叠的存储层；一含有第二3D‑MPROM阵列的第二3D‑MPROM芯片，该第二3D‑MPROM阵列含有多个相互堆叠的存储层；除了至少一预留存储层以外，第一和第二3D‑MPROM芯片相同；该第一3D‑MPROM芯片不含有该预留存储层，而该第二3D‑MPROM芯片含有该预留存储层。