[发明专利]基于BCD工艺的电流钳位电路

摘要

本发明公开了一种基于BCD工艺的电流钳位电路，其是一种专为BCD工艺设计的电流钳位电路。包括电流输出电路、输出电流检测电路和电流钳位电路，电流输出电路的输入端连接高压输入电压VIN，电流输出电路的输出端连接输出电流检测电路的输入端，输出电流检测电路的输出端连接电流钳位电路的输入端，电流钳位电路的输出端连接至电流输出电路的反馈控制端。工作时，电流输出电路输出电流至输出电流检测电路，输出电流检测电路用以检测输出电流的大小，当电流输出电路实际输出电流大于钳位电流时，电流钳位电路输出电流钳位反馈控制信号至电流输出电路，将输出电流钳位在所设定的值。

主权项

基于BCD工艺的电流钳位电路，其特征在于：包括电流输出电路、输出电流检测电路和电流钳位电路，电流输出电路的输入端连接高压输入电压VIN，电流输出电路的输出端连接输出电流检测电路的输入端，输出电流检测电路的输出端连接电流钳位电路的输入端，电流钳位电路的输出端连接至电流输出电路的反馈控制端；电流输出电路包括低压PMOS管M1、M2，放大器OP1，高压LDPMOS管M3、M4，以及基准电流源I‑ref1；其中，低压PMOS管M1的M值为1，低压PMOS管M2的M值为K，低压PMOS管M1、M2构成第一电流镜，高压LDPMOS管M3、M4的栅极共同连接至偏置电压V_bias_1，基准电流源I‑ref1串接于高压LDPMOS管M3的漏极与地之间，高压LDPMOS管M4的漏极为输出端口；高压LDPMOS管M3、M4的源极分别对应连接至放大器OP1的两个输入端并分别对应连接至低压PMOS管M1、M2的漏极，放大器OP1的输出端连接至低压PMOS管M1、M2的栅极，低压PMOS管M1、M2的源极连接至高压输入电压VIN；输出电流检测电路包括低压PMOS管M5、M7，高压LDPMOS管M6，以及放大器OP2；其中，低压PMOS管M5、M7的M值均为1，且低压PMOS管M5与低压PMOS管M2构成第二电流镜，低压PMOS管M5的源极连接高压输入电压VIN，放大器OP2的两个输入端并分别对应连接至低压PMOS管M2、M5的漏极，放大器OP2的输出端连接高压LDPMOS管M6的栅极，高压LDPMOS管M6的源极连接低压PMOS管M5的漏极，高压LDPMOS管M6的漏极连接低压PMOS管M7的漏极和栅极，低压PMOS管M7的源极接地；电流钳位电路包括低压PMOS管M8，高压LDPMOS管M9、M10，基准电流源I‑ref2，以及放大器OP3；其中，低压PMOS管M8的M值为1，且低压PMOS管M7与低压PMOS管M8构成第三电流镜，低压PMOS管M8的漏极连接至高压LDPMOS管M9的源极，高压LDPMOS管M9、M10的栅极连接至偏置电压V_bias_2，基准电流源I‑ref2串接于高压LDPMOS管M10的源极与地之间，高压LDPMOS管M9、M10的漏极分别对应连接至放大器OP3的两个输入端并分别通过阻值相等的电阻R1、R2连接至高压输入电压VIN，放大器OP3的输出端连接至放大器OP1的反馈控制端。