[发明专利]一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 201510078677.1 | 申请日: | 2015-02-13 |
公开(公告)号: | CN104659152A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
发明(设计)人: | 刘忠范;尹建波;王欢;彭海琳 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0392 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 关畅;王春霞 |
地址: | 100000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器及其制备方法。它的制备方法包括如下步骤:1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料,然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀,并进行显影、定影,做出电极图案;2)将经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上,进行蒸镀金属得到电极,即得到所述光电探测器。本发明通过制备得到特定角度的扭转角双层石墨烯,其制备的光电探测器件具有很高迁移率,对特定波长光具有高效的光电探测效率,光电响应平均增强,且具有极低的暗电流,以及无需偏压、栅压提供额外能量的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 扭转 双层 石墨 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于扭转双层石墨烯的光电探测器的制备方法,包括如下步骤:1)在扭转双层石墨烯上涂覆光敏材料,然后在所述扭转双层石墨烯上刻蚀,并进行显影、定影,做出电极图案;2)在经步骤1)处理的所述扭转双层石墨烯的所述电极图案上,蒸镀金属得到电极,即得到所述光电探测器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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