[发明专利]基于单根纳米线电极材料的原位表征性能测试方法有效
| 申请号： | 201510078724.2 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104701205B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 麦立强;胡平;双逸;晏梦雨 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;B82Y35/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 崔友明 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及基于单根纳米线电极材料的原位表征性能测试方法，单根纳米线分散在绝缘层上，作为超级电容器电极活性材料，单根纳米线的两端搭建在金属材料的集流体上，注入电解液封装，获得对称式单根纳米线电化学超级电容器器件，以单根纳米线为正极，以另一单根纳米线为负极，然后对所述的单根纳米线电极进行原位的电输运性能测试，使对称式单根纳米线电化学超级电容器器件在不同的充放电下静置。本发明的有益效果是可以解释多孔石墨烯包覆MnO2纳米线所形成的同轴纳米线结构作为超级电容器电极材料性能优异的本质原因，并为纳米器件提供高功率密度能量存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 电极 材料 原位 表征 性能 测试 方法 | ||
【主权项】：
基于单根纳米线电极材料的原位表征性能测试方法，其特征在于单根纳米线分散在绝缘层上，作为超级电容器电极活性材料，单根纳米线的两端搭建在金属材料的集流体上，注入电解液封装，获得对称式单根纳米线电化学超级电容器器件，以单根纳米线为正极，以另一单根纳米线为负极，然后对所述的单根纳米线电极进行原位的电输运性能测试，使对称式单根纳米线电化学超级电容器器件在不同的充放电下静置，所述的纳米线为MnO2纳米线、石墨烯/MnO2管中线结构同轴纳米线或多孔石墨烯/MnO2管中线结构同轴纳米线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
