[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201510079380.7 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN105321849A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 山本哲夫;佐佐木隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法。该衬底处理装置具有簇射头和设置在所述簇射头下游的处理空间，该簇射头具有：设置有贯通孔的簇射头的顶板；顶端被插入所述贯通孔且另一端连接于气体供给部的第一分散构造；具有构成为越向下方越宽的板部和设置在所述板部与所述顶板之间且设有至少一个孔的连接部的气体引导件；和设置在所述气体引导件的下游的第二分散构造。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其中，具有簇射头和设置于所述簇射头的下游的处理空间，所述簇射头包括：顶板、第一分散构造、气体引导件和第二分散构造，簇射头的所述顶板设置有贯通孔，所述第一分散构造的顶端从所述贯通孔突出，且另一端连接于气体供给部，所述气体引导件具有构成为越向下方越宽的引导部和设置于所述引导部与所述顶板之间且设有至少一个孔的连接部，所述第二分散构造设置于所述气体引导件的下游。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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