[发明专利]具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其制造工艺

摘要

本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地，本发明的实施例提供后续将用SiGe材料填充的成形腔。该成形腔包括与基板交界的凸区域。还提供了其他实施例。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板基本由硅材料组成；在所述基板上限定腔区域；蚀刻所述基板以在所述腔区域处形成腔，所述腔包括上端部分和底端部分；在所述底端部分内形成氧化硅材料层，所述氧化硅材料层与所述基板的底端侧壁交界；在所述上端部分的侧壁上形成隔离物；移除所述氧化硅材料层以暴露所述基板的所述底端侧壁；通过选择性地蚀刻所述底端侧壁来扩大所述腔的所述底端部分以形成第一成形腔，所述第一成形腔包括与所述底端侧壁交界的凸部；以及用填充材料来填充所述第一成形腔，所述填充材料包括硅和锗材料。