[发明专利]具有用于嵌入锗材料的成形腔的半导体器件及其双沟槽制造工艺

摘要

本发明涉及半导体工艺及器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括由两个沟槽结构形成的成形腔，并且该成形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板基本包括硅材料；形成覆盖所述基板的多个隔离物，所述多个隔离物包括第一隔离物、第二隔离物和第三隔离物，所述第一隔离物与所述第二隔离物由第一沟槽区域隔开，所述第二隔离物与所述第三隔离物由第二沟槽区域隔开；使用至少第一蚀刻剂执行第一蚀刻工艺以在所述第一沟槽区域处形成第一沟槽以及在所述第二沟槽区域处形成第二沟槽；移除所述多个隔离物；使用至少第二蚀刻剂执行第二蚀刻过程以形成成形腔，所述成形腔包括与所述基板交界的两个凸区域；以及用硅和锗材料填充所述成形腔。