[发明专利]基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法有效
| 申请号： | 201510079793.5 | 申请日： | 2015-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104638515B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 许兴胜;黄昕楠;高永浩;黎星云 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器结构和方法，所述方法包括在硅片上制作硅波导；在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键合区域以所述硅波导中心为轴线，两端分别延伸第三尺寸形成键合区域中心平台，将所述键合区域中心平台以外的键合区域刻蚀一定深度的凹槽形成深刻蚀区域；在表面旋涂氧化锌，之后再旋涂光刻胶，光刻曝光后显影去除所述深刻蚀区域的光刻胶，之后腐蚀掉所述深刻蚀区域的氧化锌；在表面旋涂光刻胶，显影去除深刻蚀区域以外的光刻胶；将III‑V族激光器用键合到所述深刻蚀区域，出射端口对准硅波导的入射端口。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化锌 iii 混合 激光器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种基于氧化锌键合III‑V族和硅混合型激光器的方法，其包括：步骤1：在硅片上制作硅波导；步骤2：在硅波导一端深刻蚀键合区域，该键合区域沿着所述硅波导一端的方向延伸第一尺寸，垂直于硅波导方向延伸第二尺寸；并在所述键合区域以所述硅波导中心为轴线，两端分别延伸第三尺寸形成键合区域中心平台，将所述键合区域中心平台以外的键合区域刻蚀一定深度的凹槽形成深刻蚀区域；步骤3：在表面旋涂氧化锌，并加热预定时间后去除溶剂，之后再旋涂光刻胶，光刻曝光后显影去除所述深刻蚀区域的光刻胶，之后腐蚀掉所述深刻蚀区域的氧化锌；步骤4：在表面旋涂光刻胶，进行光刻曝光后，显影去除深刻蚀区域以外的光刻胶；步骤5：将III‑V族激光器用键合到所述深刻蚀区域，出射端口对准硅波导的入射端口。
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