[发明专利]一种横向恒流二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510080605.0 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104638021B | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 乔明;于亮亮;何逸涛;代刚;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底、扩散N型阱区、P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、第二N型重掺杂区；P型重掺杂区位于第一N型重掺杂区和第二N型重掺杂区之间，第一N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，第一N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极形成欧姆接触，第二N型重掺杂区与金属阳极形成欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时在P型衬底上采用N阱工艺，衬底可辅助耗尽沟道，加快导电沟道的耗尽，实现较低的夹断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括P型轻掺杂衬底(2)、扩散N型阱区(3)、P型重掺杂区(4)、第一N型重掺杂区(5)、氧化介质层(6)、金属阴极(7)、金属阳极(8)、第二N型重掺杂区(9)；所述扩散N型阱区(3)形成于P型轻掺杂衬底(2)之中，所述P型重掺杂区(4)、第一N型重掺杂区(5)和第二N型重掺杂区(9)形成于扩散N型阱区(3)之中，P型重掺杂区(4)位于第一N型重掺杂区(5)和第二N型重掺杂区(9)之间，其特征在于，所述第一N型重掺杂区(5)部分包含于P型重掺杂区(4)之中，所述第一N型重掺杂区(5)与P型重掺杂区(4)短接并与金属阴极(7)形成欧姆接触，所述第二N型重掺杂区(9)与金属阳极(8)形成欧姆接触。
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