[发明专利]射频LDMOS器件及工艺方法有效
| 申请号： | 201510080701.5 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104716187B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频LDMOS器件，在P型衬底上的P型外延中具有体区及轻掺杂漂移区，外延上具有多晶硅栅极及法拉第盾结构。轻掺杂漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区；所述P型体区与轻掺杂漂移区之间的硅表面具有栅氧化层及覆盖在栅氧化层之上的多晶硅栅极；在P型体区远离轻掺杂漂移区的一侧具有穿通外延层且其底部位于P型衬底的钨塞，钨塞上端连接所述重掺杂P型区；所述靠漏区的轻掺杂漂移区中还具有第二漂移区，第二漂移区中还包含有一P型注入区，所述的漏区位于该P型注入区中。本发明还公开了所述的射频LDMOS器件的工艺方法。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 ldmos 器件 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种射频LDMOS器件，在P型衬底上具有P型外延，所述P型外延中具有P型体区，一重掺杂P型区和射频LDMOS器件的源区位于所述P型体区中；所述P型外延中还具有轻掺杂漂移区，轻掺杂漂移区中具有所述LDMOS器件的漏区；所述P型体区与轻掺杂漂移区之间的硅表面具有栅氧化层及覆盖在栅氧化层之上的多晶硅栅极；多晶硅栅极及靠近多晶硅栅极的轻掺杂漂移区之上覆盖氧化层，氧化层上具有法拉第盾；在P型体区远离轻掺杂漂移区的一侧具有穿通外延层且其底部位于P型衬底的钨塞，钨塞上端连接所述重掺杂P型区；其特征在于：靠漏区的所述轻掺杂漂移区中还具有第二漂移区，第二漂移区中还包含有一P型注入区，所述的漏区位于该P型注入区中；所述P型体区和P型外延、轻掺杂漂移区及第二漂移区、P型注入区构成横向寄生PNP管。
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