[发明专利]一种改善形貌的深沟槽制造方法及深沟槽

摘要

本申请公开了一种改善形貌的深沟槽制造方法，包括：在外延层上形成ONO层；穿透ONO层并在外延层中形成沟槽的第一部分；在沟槽的第一部分的侧壁形成侧墙；在沟槽的第一部分的底部向下刻蚀，新刻蚀的区域称为沟槽的第二部分，沟槽的第一部分和第二部分的总和构成了完整的沟槽；在沟槽的第二部分的侧壁和底部热氧化生长出第四氧化硅；先去除第四氧化硅和侧墙，再去除ONO层中的第二氧化硅和第一氮化硅，仅保留第一氧化硅。本申请通过一次光刻和两次沟槽刻蚀以改善沟槽形貌，最终提升了沟槽型超级结器件的反向击穿电压。

主权项

1.一种改善形貌的深沟槽制造方法，其特征是，包括如下步骤：第1步，在外延层上形成ONO层，所述ONO层自下而上包括第一氧化硅、第一氮化硅、第二氧化硅；第2步，采用光刻和干法刻蚀工艺穿透ONO层并在外延层中形成沟槽的第一部分所述沟槽的第一部分的深度相当于沟槽总深度的一半；第3步，在硅片表面依次形成第三氧化硅和第二氮化硅，再采用干法反刻第二氮化硅和第三氧化硅从而在沟槽的第一部分的侧壁形成侧墙；第4步，在沟槽的第一部分的底部向下刻蚀，新刻蚀的区域称为沟槽的第二部分，沟槽的第一部分和第二部分的总和构成了完整的沟槽；第5步，在沟槽的第二部分的侧壁和底部热氧化生长出第四氧化硅；所耗费的硅使得沟槽的第二部分的底部宽度等于沟槽的第一部分的底部宽度，沟槽的第二部分的开口宽度等于沟槽的第一部分的开口宽度；第6步，先去除第四氧化硅和侧墙，再去除ONO层中的第二氧化硅和第一氮化硅，仅保留第一氧化硅。