[发明专利]N型LDMOS器件及工艺方法有效
| 申请号： | 201510080729.9 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104659103B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 石晶;钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型深阱中具有P阱及N阱，硅表面具有多晶硅栅极及侧墙结构。所述N阱中具有LDMOS器件的漏区，漏区上有金属电极将漏区引出；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，以及重掺杂P型区，金属电极将重掺杂P型区及源区引出。所述LDMOS器件的表面为非平面的有台阶结构，漏区的位置高于LDMOS的沟道。本发明还公开了所述N型LDMOS器件的工艺方法。 1 | ||
| 搜索关键词： | 漏区 重掺杂P型区 金属电极 源区 多晶硅栅极 侧墙结构 台阶结构 非平面 硅表面 衬底 沟道 | ||
【主权项】：
1.一种N型LDMOS器件，在P型衬底上的N型深阱中具有P阱及N阱，衬底表面具有多晶硅栅极及侧墙结构；所述N阱中具有LDMOS器件的漏区，漏区上有金属电极将漏区引出；所述P阱中具有LDMOS器件的源区，以及重掺杂P型区，金属电极将重掺杂P型区及源区引出；其特征在于：所述LDMOS器件的表面为非平面的有台阶结构，漏区的位置高于LDMOS的沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510080729.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
