[发明专利]一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的方法

摘要

本发明公开了一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在金属基底上制备石墨烯；2)将所述石墨烯加热并维持；3)将硅沉积到所述石墨烯表面，同时进行插层，进入所述石墨烯和所述基底之间；4)降温。本发明对室温下沉积硅、高温退火的方法进行了改进，高温下沉积硅同时进行插层，这样提高了插硅的效率，避免原有方法硅原子在石墨烯表明可能形成较大团簇的缺陷，有利于增加硅插层厚度及提高插层后石墨烯的质量，进而使石墨烯与基底之间绝缘，保持了石墨烯的良好品质。

主权项

1.一种使石墨烯与金属基底之间绝缘的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在金属基底上制备石墨烯，在真空腔内对过渡金属单晶表面进行氩离子溅射和氧气灼烧，之后将过渡金属样品升温到700℃至1200℃之间，向真空腔内通入乙烯气体，缓慢降温，形成石墨烯；2)将所述石墨烯样品加热并维持；利用电子束加热的方式，使生长有石墨烯的过渡金属单晶样品升到高温并维持；3)将硅沉积到所述石墨烯表面，同时进行插层，进入所述石墨烯和所述基底之间；具体利用聚焦电子束蒸发源将硅原子或者硅团簇蒸发到石墨烯表面，同时进行插层，给样品进行加热，进行插层的温度为200℃～1500℃；4)降温，插入石墨烯和基底之间的硅层厚度在1nm至1mm之间，硅插层石墨烯没有缺陷，石墨烯的覆盖度达到100％，插层后的硅形成棒状有序结构，相互之间构成120°的夹角。