[发明专利]双位闪存存储器结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种双位闪存存储器结构及其制造方法，该存储器结构包含位于基材上的选择栅极氧化物层、容置于选择栅极氧化物层中的选择栅极，选择栅极两侧各有一组复合栅极层。各别复合栅极层包含浮置栅极氧化层、浮置栅极、复合材料层、控制栅极与间隙壁。浮置氧化硅位于基材上。浮置栅极位于浮置氧化层上。复合材料层位于浮置栅极上。控制栅极位于复合材料层上。间隙壁位于控制栅极上。

主权项

1.一种形成存储器结构的方法，包含：提供一叠层基材，包含：基材；浮置栅极氧化物，位于该基材上并嵌入该基材中的沟槽氧化物中；以及多个浮置栅极材料片位于该浮置栅极氧化物上，各别嵌入该沟槽氧化物之间并高出于该沟槽氧化物的表面上；形成一复合材料层，以共形的方式覆盖该多个浮置栅极材料片与该沟槽氧化物；形成一控制栅极材料层，覆盖该复合材料层并在该多个浮置栅极材料片之间延伸；形成一保护层，来覆盖该控制栅极材料层；一次蚀刻该保护层、该控制栅极材料层、该复合材料层、该多个浮置栅极材料片与该浮置栅极氧化物，而暴露出该基材并形成多个叠层材料柱；形成一选择栅极氧化物层，以共形的方式覆盖该多个叠层材料柱与该基材，其中相邻的该多个叠层材料柱定义一选择栅极容置空间位于其间；以一选择栅极材料填入该选择栅极容置空间中，而夹置于该选择栅极氧化物层之间；移除该保护层，而暴露出该控制栅极材料层的一垂直部分；在每个该叠层材料柱上形成一组间隙壁，以依附该垂直部分，其中该组间隙壁定义一间隙空间；以及以该组间隙壁作为一蚀刻掩模，经由该间隙空间以自行对准的方式一次蚀刻该控制栅极材料层、该复合材料层、该多个浮置栅极材料片与该浮置栅极氧化物，即形成多个双位存储器结构。