[发明专利]一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510081821.7 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN104638024B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 乔明;于亮亮;代刚;陈钢;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于SOI的横向恒流二极管及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。所述基于SOI的横向恒流二极管由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底，N型轻掺杂硅、P型重掺杂区、N型重掺杂区、氧化介质层、金属阴极、金属阳极、P型掺杂区、埋氧层；P型重掺杂区位于N型重掺杂区和P型掺杂区之间，N型重掺杂区部分包含于P型重掺杂区之中，N型重掺杂区与P型重掺杂区短接并与金属阴极欧姆接触，P型掺杂区与金属阳极欧姆接触。本发明恒流二极管采用PN结短接结构，可减小芯片面积，降低成本；同时采用SOI技术，可有效防止在集成系统中衬底漏电流带来的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 soi 横向 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于SOI的横向恒流二极管，由多个结构相同的元胞叉指连接形成，所述元胞包括衬底(2)，N型轻掺杂硅(3)、P型重掺杂区(4)、N型重掺杂区(5)、氧化介质层(6)、金属阴极(7)、金属阳极(8)、P型掺杂区(9)、埋氧层(10)；所述埋氧层(10)位于衬底(2)之上，所述N型轻掺杂硅(3)位于埋氧层(10)之上，所述P型重掺杂区(4)、N型重掺杂区(5)和P型掺杂区(9)位于N型轻掺杂硅(3)之中，所述P型重掺杂区(4)位于N型重掺杂区(5)和P型掺杂区(9)之间，所述N型重掺杂区(5)至少部分包含于P型重掺杂区(4)之中，所述氧化介质层(6)位于N型轻掺杂硅(3)之上，所述N型重掺杂区(5)与P型重掺杂区(4)短接并与金属阴极(7)形成欧姆接触，所述P型掺杂区(9)与金属阳极(8)形成欧姆接触。
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