[发明专利]一种半导体结构的整合处理方法

摘要

本发明涉及半导体加工领域，尤其涉及一种对半导体结构进行的整合处理方法。本发明提供了一种半导体结构的整合处理方法，该半导体结构由表层至底层依此包括金属铜层、阻挡层、金属掩膜层、介质层和基底，且该半导体结构带有图形线槽，图形线槽内填充金属铜层，其中的介质层至少有一层为低K介质层或超低K介质层，该整合处理方法包括步骤：采用无应力抛光工艺去除金属铜层，裸露出阻挡层并控制图形线槽内的金属铜层的表面不超过介质层最表层的面；采用热气相刻蚀工艺去除阻挡层；采用热气相刻蚀工艺去除金属掩膜层。采用本发明的技术方案能够大幅度提高对半导体结构进行加工的可靠性，防止脆弱的低K介质层或超低K介质层被损伤，并节约成本。

主权项

一种半导体结构的整合处理方法，所述半导体结构由表层至底层依此包括金属铜层、阻挡层、金属掩膜层、介质层和基底，且所述半导体结构带有图形线槽，所述图形线槽内填充有所述金属铜层，其中的介质层中至少有一层为低K介质层或超低K介质层，其特征在于，该整合处理方法包括步骤：采用无应力抛光工艺将留存于所述阻挡层之上的金属铜层去除，裸露出所述阻挡层并控制所述图形线槽内的金属铜层的表面不超过所述介质层最表层的面；采用热气相刻蚀工艺将覆盖于所述金属掩膜层上方以及侧边的所述裸露出的阻挡层去除；采用热气相刻蚀工艺进一步地将所述金属掩膜层去除，露出所述介质层最表层的面。