[发明专利]半导体刻蚀工艺的终点检测方法有效
| 申请号： | 201510081945.5 | 申请日： | 2015-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN105990175B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 肖东风;贾照伟;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所刻蚀的半导体结构至少包括阻挡层和介质层，选用的刻蚀气体为二氟化氙，其中：在刻蚀工艺结束前，向刻蚀环境中通入HF气体以产生终点标记产物，当监测到终点标记产物生成时，终结刻蚀工艺。采用本发明所提供的技术方案，能够大大提高终点检测的精确度，帮助操作人员及时地终结刻蚀工艺，以改善半导体结构的品质，避免刻蚀不完全或过刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 刻蚀 工艺 终点 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体刻蚀工艺的终点检测方法，所述半导体刻蚀工艺对半导体结构进行刻蚀，该半导体结构至少包括阻挡层和介质层，刻蚀气体为二氟化氙（XeF
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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